Spausdinti puslapį
PD55003-E
RF FET Transistor, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.PD55003-E
Užsakymo kodas2341739
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 19 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
| Kiekis | |
|---|---|
| 400+ | 6,590 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 400
Keli: 400
2 636,00 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.PD55003-E
Užsakymo kodas2341739
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2.5A
Power Dissipation31.7W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StylePowerSO-10RF
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max165°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The PD55003-E is a N-channel RF Power Transistor designed for high gain, broad band applications. It operates at 12V in common source mode at frequencies of up to 1GHz. It boasts excellent gain, linearity and reliability thanks to ST's latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, the PowerSO-10RF. The superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radios. It has been optimized for RF requirements and offers excellent RF performance and ease of assembly.
- Excellent thermal stability
- Common source configuration
- Enhancement-mode lateral field-effect transistor
Pritaikymas
Industrial, Commercial, Power Management
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
31.7W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2.5A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
PowerSO-10RF
Operating Temperature Max
165°C
Transistor Mounting
Surface Mount
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001801
Produkto kilmės atsekamumas