Spausdinti puslapį
PD57018
RF FET Transistor, 65 V, 2.5 A, 18 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.PD57018
Užsakymo kodas8185107
Techninės specifikacijos
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.PD57018
Užsakymo kodas8185107
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id2.5A
Power Dissipation18W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StylePowerSO-10RF
No. of Pins10Pins
Operating Temperature Max165°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
18W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
10Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2.5A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
PowerSO-10RF
Operating Temperature Max
165°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Italy
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Italy
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
RoHS suderinamumas:Turi būti tikslinama
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.02