Spausdinti puslapį
PD84008L-E
RF FET Transistor, 25 V, 7 A, 26.7 W, 1 GHz, PowerFLAT
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.PD84008L-E
Užsakymo kodas3129606RL
Techninės specifikacijos
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.PD84008L-E
Užsakymo kodas3129606RL
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id7A
Power Dissipation26.7W
Power Dissipation Pd26.7W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StylePowerFLAT
No. of Pins8Pins
RF Transistor CasePowerFLAT
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
25V
Power Dissipation
26.7W
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
PowerFLAT
RF Transistor Case
PowerFLAT
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Continuous Drain Current Id
7A
Power Dissipation Pd
26.7W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
8Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (3)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00035