Spausdinti puslapį
PD85004
RF FET Transistor, 40 V, 2 A, 6 W, 1 GHz, SOT-89
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.PD85004
Užsakymo kodas2629762
Techninės specifikacijos
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.PD85004
Užsakymo kodas2629762
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2A
Power Dissipation6W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StyleSOT-89
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
6W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
2A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SOT-89
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (3)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000106