Spausdinti puslapį
SGT070R70HTO
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 26 A, 0.07 ohm, 8.5 nC, TO-LL, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.SGT070R70HTO
Užsakymo kodas4785161
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
jei susidomėjote, užsiregistruokite čia
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 7,060 € |
| 5+ | 6,670 € |
| 10+ | 6,260 € |
| 50+ | 6,050 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
7,06 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.SGT070R70HTO
Užsakymo kodas4785161
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Typical Gate Charge8.5nC
Transistor Case StyleTO-LL
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins11Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Case Style
TO-LL
No. of Pins
11Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
26A
Typical Gate Charge
8.5nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000001
Produkto kilmės atsekamumas