Spausdinti puslapį
STB11NM60T4
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 5.5 A, 0.4 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STB11NM60T4
Užsakymo kodas1751972RL
Produktų asortimentasMDmesh
Techninės specifikacijos
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STB11NM60T4
Užsakymo kodas1751972RL
Produktų asortimentasMDmesh
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id5.5A
Drain Source On State Resistance0.4ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh
Qualification-
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.5A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Y-Ex
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002495
Produkto kilmės atsekamumas