Spausdinti puslapį
STB27NM60ND
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STB27NM60ND
Užsakymo kodas2851958
Produktų asortimentasFDmesh II
Techninės specifikacijos
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STB27NM60ND
Užsakymo kodas2851958
Produktų asortimentasFDmesh II
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFDmesh II
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Alternatyvos STB27NM60ND
Rasta produktų: 4
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
FDmesh II
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00138
Produkto kilmės atsekamumas