Spausdinti puslapį
STD15N60M2-EP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD15N60M2-EP
Užsakymo kodas2889917
Produktų asortimentasMDmesh
Jūsų dalies numeris
Techninės specifikacijos
4 943 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 2,020 € |
| 10+ | 1,290 € |
| 100+ | 0,878 € |
| 500+ | 0,671 € |
| 1000+ | 0,591 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
2,02 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD15N60M2-EP
Užsakymo kodas2889917
Produktų asortimentasMDmesh
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.34ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktų apžvalga
- 600V, 11A MDmesh™ M2 EP power MOSFET in a 3 pin DPAK package
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- Very low turn-off switching losses
- 100% avalanche tested
- Zener protected
- Suitable for switching applications
- Tailored for very high frequency converters (f <gt/> 150KHz)
- Exhibits low on-resistance, optimized switching characteristics
- Suitable for the most demanding very high frequency converters
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.34ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos STD15N60M2-EP
Rasta produktų: 6
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001512