Spausdinti puslapį
STD30NF06LT4
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 35 A, 0.022 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD30NF06LT4
Užsakymo kodas1752032
Techninės specifikacijos
181 602 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,460 € |
| 10+ | 1,030 € |
| 100+ | 0,763 € |
| 500+ | 0,604 € |
| 1000+ | 0,543 € |
| 5000+ | 0,504 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
1,46 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD30NF06LT4
Užsakymo kodas1752032
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The STD30NF06LT4 is a N-channel STripFET™II Power MOSFET with single feature size strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps allowing remarkable manufacturing reproducibility.
- Extremely dv/dt capability
- Logic-level gate drive
Pritaikymas
Industrial, Automotive, Motor Drive & Control
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000541