Spausdinti puslapį
STD35P6LLF6
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD35P6LLF6
Užsakymo kodas2807190
Produktų asortimentasSTripFET F6
Techninės specifikacijos
2 218 Sandėlyje
2 500 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,810 € |
| 10+ | 1,030 € |
| 100+ | 0,759 € |
| 500+ | 0,655 € |
| 1000+ | 0,626 € |
| 5000+ | 0,578 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
1,81 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD35P6LLF6
Užsakymo kodas2807190
Produktų asortimentasSTripFET F6
Techninės specifikacijos
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F6
Qualification-
MSL-
Produktų apžvalga
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure.
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
Techniniai duomenys
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F6
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000907
Produkto kilmės atsekamumas