Spausdinti puslapį
STD4NK60ZT4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD4NK60ZT4
Užsakymo kodas1291961RL
Techninės specifikacijos
4 308 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 100+ | 0,781 € |
| 500+ | 0,702 € |
| 1000+ | 0,644 € |
| 5000+ | 0,576 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 100
Keli: 1
83,10 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD4NK60ZT4
Užsakymo kodas1291961RL
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance2ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktų apžvalga
The STD4NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
- Very low intrinsic capacitance
Pritaikymas
Industrial, Power Management
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos STD4NK60ZT4
Rasta produktų: 4
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00031