Spausdinti puslapį
STD5NK40Z-1
Power MOSFET, N Channel, 400 V, 3 A, 1.47 ohm, TO-251AA, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD5NK40Z-1
Užsakymo kodas9802991
Techninės specifikacijos
5 695 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,670 € |
| 10+ | 1,270 € |
| 100+ | 0,803 € |
| 500+ | 0,690 € |
| 1000+ | 0,586 € |
| 5000+ | 0,544 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
1,67 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD5NK40Z-1
Užsakymo kodas9802991
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds400V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance1.47ohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation45W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The STD5NK40Z-1 is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
- 1.47Ω RDS (ON)
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitances
- Very good manufacturing repeatability
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Pritaikymas
Power Management, Lighting, Industrial
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
45W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
400V
Drain Source On State Resistance
1.47ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001077