Spausdinti puslapį
STD5NM60-1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5 A, 0.9 ohm, TO-251, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD5NM60-1
Užsakymo kodas2098177
Produktų asortimentasMDmesh
Techninės specifikacijos
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD5NM60-1
Užsakymo kodas2098177
Produktų asortimentasMDmesh
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance0.9ohm
Transistor Case StyleTO-251
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation96W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh
Qualification-
Alternatyvos STD5NM60-1
Rasta produktų: 1
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Transistor Case Style
TO-251
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.9ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000454