Spausdinti puslapį
STFW24N60M2
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 18 A, 0.168 ohm, TO-3PF, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STFW24N60M2
Užsakymo kodas3367044
Produktų asortimentasMDmesh II Plus
Techninės specifikacijos
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STFW24N60M2
Užsakymo kodas3367044
Produktų asortimentasMDmesh II Plus
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.168ohm
Transistor Case StyleTO-3PF
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation48W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh II Plus
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Transistor Case Style
TO-3PF
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.168ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh II Plus
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0052
Produkto kilmės atsekamumas