Spausdinti puslapį
STGD5NB120SZT4
IGBT, 10 A, 1.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STGD5NB120SZT4
Užsakymo kodas2341718
Techninės specifikacijos
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STGD5NB120SZT4
Užsakymo kodas2341718
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current10A
Collector Emitter Saturation Voltage1.3V
Power Dissipation75W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Produktų apžvalga
The STGD5NB120SZT4 is a 1200V Low Drop Internally Clamped IGBT that utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. The IGBT is ideal for use in inrush current limitation and pre-heating for electronic lamp ballast. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.
- Low on-voltage drop
- High current capability
- Off losses include tail current
- High voltage clamping, low VCE (sat) for reduced conduction losses
- Tight parameter distribution for design simplification and easy paralleling
Pritaikymas
Lighting
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
75W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.3V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (2)
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000519