Spausdinti puslapį
STGW20NC60VD
IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STGW20NC60VD
Užsakymo kodas9512535
Techninės specifikacijos
255 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 3,860 € |
| 10+ | 3,380 € |
| 100+ | 1,840 € |
| 500+ | 1,550 € |
| 1000+ | 1,540 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
3,86 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STGW20NC60VD
Užsakymo kodas9512535
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The STGW20NC60VD is a 600V very fast IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. It is suitable for use with high frequency inverters, UPS, motor drive, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.
- High current capability
- High frequency operation up to 50KHz
- Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
- ±20V Gate to emitter voltage
- 0.63°C/W IGBT thermal resistance, junction to case
- 1.5°C/W IGBT thermal resistance, junction to case
- 50°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Pritaikymas
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos STGW20NC60VD
Rasta produktų: 8
Susiję produktai
Rasta produktų: 3
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.007439