Spausdinti puslapį
STP170N8F7
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STP170N8F7
Užsakymo kodas2807214
Produktų asortimentasSTripFET F7
Techninės specifikacijos
129 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Galimas, kol sandėlyje yra prekių
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 3,300 € |
| 10+ | 2,580 € |
| 100+ | 1,690 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
3,30 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STP170N8F7
Užsakymo kodas2807214
Produktų asortimentasSTripFET F7
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.003ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F7
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Alternatyvos STP170N8F7
Rasta produktų: 3
Produktų apžvalga
Pritaikymas
Medical
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.003ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (3)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0023