Spausdinti puslapį
STP40N60M2
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STP40N60M2
Užsakymo kodas2807298
Produktų asortimentasMDmesh M2
Techninės specifikacijos
1 873 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 5,720 € |
| 5+ | 5,200 € |
| 10+ | 4,690 € |
| 50+ | 4,170 € |
| 100+ | 3,660 € |
| 250+ | 3,140 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
5,72 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STP40N60M2
Užsakymo kodas2807298
Produktų asortimentasMDmesh M2
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance0.088ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
STP40N60M2 is a N-channel 600V, 0.078ohm typ., 34A MDmesh M2 Power MOSFET. This device is N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Due to their strip layout and improved vertical structure, the devices exhibit low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering them suitable for the most demanding high efficiency converters. Application includes switching applications, LLC converters, resonant converters.
- Extremely low gate charge, excellent output capacitance (Cos) profile
- 100% avalanche tested, zener-protected
- 650V VDS at Tjmax, 0.088ohm maximum static drain-source on-resistance (VGS = 10V, ID = 17A)
- 34A typical source-drain current (TC = 25°C)
- 600V minimum drain-source breakdown voltage (VGS = 0, ID = 1mA)
- 3V typical gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 250µA)
- 10nC typical gate-source charge (VDD = 480V, ID = 34A, VGS = 10V)
- 13.5ns typical rise time (VDD = 300V, ID = 34A, RG = 4.7ohm, VGS = 10V)
- 1.6V maximum forward on voltage (ISD = 34A, VGS = 0)
- TO-220 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.088ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh M2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos STP40N60M2
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0023
Produkto kilmės atsekamumas