Spausdinti puslapį
STW20N95K5
Power MOSFET, N Channel, 950 V, 17.5 A, 0.275 ohm, TO-247, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STW20N95K5
Užsakymo kodas2341733
Techninės specifikacijos
2 192 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 6,080 € |
| 5+ | 4,640 € |
| 10+ | 3,200 € |
| 50+ | 3,180 € |
| 100+ | 3,150 € |
| 250+ | 3,130 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
6,08 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STW20N95K5
Užsakymo kodas2341733
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds950V
Continuous Drain Current Id17.5A
Drain Source On State Resistance0.275ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The STW20N95K5 is a 950V N-channel Power MOSFET developed using SuperMESH™ 5 technology. This revolutionary, avalanche-rugged, high voltage Power MOSFET technology is based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a drastic reduction in on-resistance and ultra low gate charge for applications which require superior power density and high efficiency. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Worldwide best RDS (on)
- Worldwide best FOM (figure of merit)
- Ultra low gate charge
- 100% Avalanche tested
- Zener-protected
Pritaikymas
Industrial
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.5A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
950V
Drain Source On State Resistance
0.275ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.006858