Spausdinti puslapį
STW45N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STW45N65M5
Užsakymo kodas2784047
Produktų asortimentasMDmesh V
Techninės specifikacijos
3 905 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 5,040 € |
| 5+ | 5,020 € |
| 10+ | 4,990 € |
| 50+ | 4,800 € |
| 100+ | 4,620 € |
| 250+ | 4,430 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
5,04 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STW45N65M5
Užsakymo kodas2784047
Produktų asortimentasMDmesh V
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.067ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation210W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh V
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
- 650V, 35A N-channel MDmesh™ V power MOSFET in 3 pin TO-247 package
- Worldwide best RDS(on) area
- Higher VDSS rating and high dv/dt capability
- Excellent switching performance
- 100% avalanche tested
- Suitable for switching applications
- Based on innovative proprietary vertical process technology, PowerMESH™ horizontal layout structure
- Suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
210W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.067ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh V
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos STW45N65M5
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000002
Produkto kilmės atsekamumas