Spausdinti puslapį
STW52NK25Z
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 26 A, 0.033 ohm, TO-247, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STW52NK25Z
Užsakymo kodas1752215
Techninės specifikacijos
1 869 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 5,840 € |
| 5+ | 4,600 € |
| 10+ | 3,350 € |
| 50+ | 3,080 € |
| 100+ | 2,890 € |
| 250+ | 2,700 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
5,84 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STW52NK25Z
Užsakymo kodas1752215
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktų apžvalga
The STW52NK25Z is a 250V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
Pritaikymas
Industrial, Power Management
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.007257