Spausdinti puslapį
STW77N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 69 A, 0.033 ohm, TO-247, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STW77N65M5
Užsakymo kodas2098400
Techninės specifikacijos
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STW77N65M5
Užsakymo kodas2098400
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id69A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation400W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternatyvos STW77N65M5
Rasta produktų: 1
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
69A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
400W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Susiję produktai
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.031751