Spausdinti puslapį
GT10J303
IGBT, 10 A, 2.7 V, 30 W, 600 V, TO-220NIS, 3 Pins
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasTOSHIBA
Gamintojo detalės nr.GT10J303
Užsakymo kodas1300807
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current10A
Collector Emitter Saturation Voltage2.7V
Power Dissipation30W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220NIS
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
30W
Transistor Case Style
TO-220NIS
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.7V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Japan
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Japan
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0019