Spausdinti puslapį
TW015N65C,S1F(S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 650 V, 0.021 ohm, TO-247
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasTOSHIBA
Gamintojo detalės nr.TW015N65C,S1F(S
Užsakymo kodas4049751
Taip pat žinoma kaipTW015N65C, TW015N65C,S1F
Techninės specifikacijos
10 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 56,790 € |
| 5+ | 53,580 € |
| 10+ | 50,370 € |
| 50+ | 49,090 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
56,79 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasTOSHIBA
Gamintojo detalės nr.TW015N65C,S1F(S
Užsakymo kodas4049751
Taip pat žinoma kaipTW015N65C, TW015N65C,S1F
Techninės specifikacijos
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.021ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation342W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Techniniai duomenys
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
342W
Product Range
-
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:To Be Advised
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.006
Produkto kilmės atsekamumas