Spausdinti puslapį
OPB706A
Reflective Photo Interrupter, OPB706 Series, Phototransistor, Through Hole, 1.27 mm, 20 mA, 2 Vr
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Gamintojo detalės nr.OPB706A
Užsakymo kodas1497904
Techninės specifikacijos
648 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 2,170 € |
| 10+ | 2,130 € |
| 25+ | 2,080 € |
| 50+ | 2,040 € |
| 100+ | 2,000 € |
| 500+ | 1,950 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
2,17 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Gamintojo detalės nr.OPB706A
Užsakymo kodas1497904
Techninės specifikacijos
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width1.27mm
Sensing Distance1.27mm
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max-
Forward Current If20mA
Reverse Voltage Vr2V
Sensor Case / PackageModule
Collector Emitter Voltage V(br)ceo24V
Collector Emitter Voltage Max30V
Forward Voltage1.7V
Collector Current IC Max25mA
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
The OPB706A is a Reflective Object Sensor consist of an infrared light emitting diode (LED) and an NPN silicon phototransistor mounted "side-by-side" on parallel axes in a black plastic housing. The LED and phototransistor is moulded using dark infrared transmissive plastic to reduce ambient light noise. The phototransistor responds to light from the emitter when a reflective object passes within its field of view of the device.
- 935nm LED peak wavelength
- 0.05" Reflection distance
- Unfocused for sensing diffuse surface
- 75mW Power dissipation
- -40 to 85°C Operating temperature range
Pritaikymas
Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control, Safety
Techniniai duomenys
Sensing Method
Reflective
Sensing Distance
1.27mm
Supply Voltage Max
-
Reverse Voltage Vr
2V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
24V
Forward Voltage
1.7V
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
1.27mm
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
20mA
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage Max
30V
Collector Current IC Max
25mA
IP Rating
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001361
Produkto kilmės atsekamumas