Spausdinti puslapį
OPB821S5Z
PHOTO INTERRUPTER, THROUGH BEAM, 2.03MM
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Gamintojo detalės nr.OPB821S5Z
Užsakymo kodas1497922
Techninės specifikacijos
98 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 5,320 € |
| 5+ | 5,240 € |
| 10+ | 5,160 € |
| 50+ | 5,070 € |
| 100+ | 4,990 € |
| 250+ | 4,890 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
5,32 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasTT ELECTRONICS / OPTEK TECHNOLOGY
Gamintojo detalės nr.OPB821S5Z
Užsakymo kodas1497922
Techninės specifikacijos
Sensing MethodThrough Beam
Sensing Distance / Slot Width2.03mm
Gap Width2.03mm
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max-
Aperture Width1.02mm
Sensor Case / PackageModule
Forward Current If20mA
Collector Emitter Voltage Max30V
Reverse Voltage Vr2V
Forward Voltage1.7V
Collector Current IC Max-
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingCable, Panel
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
The OPB821S5Z is a Slotted Optical Switch that consists of an infrared emitting diode (LED, 890 nm centre wavelength) and a NPN silicon phototransistor mounted in a low-cost black plastic housing on opposite sides of a wide slot. Each device in this series has a 0.040” (1.02 mm) wide aperture located in front of the infrared diode. Phototransistor switching occurs when an opaque object passes through the slot.
- Non-contact switching
- Four standard aperture sizes for high resolution
- Low profile
- 0.080" (2.03mm) Wide slot
- 0.250" (8.89mm) Slot depth
- 24" (609mm) 26 AWG wire leads
Pritaikymas
Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control, Safety, Industrial
Techniniai duomenys
Sensing Method
Through Beam
Gap Width
2.03mm
Supply Voltage Max
-
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage Max
30V
Forward Voltage
1.7V
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Cable, Panel
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
2.03mm
Supply Voltage Min
-
Aperture Width
1.02mm
Forward Current If
20mA
Reverse Voltage Vr
2V
Collector Current IC Max
-
IP Rating
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0062