Spausdinti puslapį
ALF08N16K
Power MOSFET, N Channel, 160 V, 8 A, TO-3, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasTT ELECTRONICS / SEMELAB
Gamintojo detalės nr.ALF08N16K
Užsakymo kodas1856755
Techninės specifikacijos
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasTT ELECTRONICS / SEMELAB
Gamintojo detalės nr.ALF08N16K
Užsakymo kodas1856755
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds160V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleTO-3
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation125W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternatyvos ALF08N16K
Rasta produktų: 1
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-3
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
160V
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Great Britain
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Great Britain
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.01143