Spausdinti puslapį
D1201UK
RF FET Transistor, 40 V, 10 A, 50 W, 1 MHz, 2 GHz, DP
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasTT ELECTRONICS / SEMELAB
Gamintojo detalės nr.D1201UK
Užsakymo kodas1856796
Techninės specifikacijos
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasTT ELECTRONICS / SEMELAB
Gamintojo detalės nr.D1201UK
Užsakymo kodas1856796
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id10A
Power Dissipation50W
Operating Frequency Min1MHz
Operating Frequency Max2GHz
Transistor Case StyleDP
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
50W
Operating Frequency Max
2GHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
10A
Operating Frequency Min
1MHz
Transistor Case Style
DP
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Flange
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 4
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Great Britain
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Great Britain
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001