Spausdinti puslapį
D1208UK
RF FET Transistor, 40 V, 20 A, 175 W, 1 MHz, 1 GHz, DK
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasTT ELECTRONICS / SEMELAB
Gamintojo detalės nr.D1208UK
Užsakymo kodas1856797
Techninės specifikacijos
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasTT ELECTRONICS / SEMELAB
Gamintojo detalės nr.D1208UK
Užsakymo kodas1856797
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id20A
Power Dissipation175W
Operating Frequency Min1MHz
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StyleDK
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
40V
Power Dissipation
175W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
5Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
20A
Operating Frequency Min
1MHz
Transistor Case Style
DK
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Flange
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Great Britain
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Great Britain
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001