Spausdinti puslapį
D2013UK
RF FET Transistor, 65 V, 4 A, 83 W, 1 MHz, 200 MHz, DK
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasTT ELECTRONICS / SEMELAB
Gamintojo detalės nr.D2013UK
Užsakymo kodas1856793
Techninės specifikacijos
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasTT ELECTRONICS / SEMELAB
Gamintojo detalės nr.D2013UK
Užsakymo kodas1856793
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id4A
Power Dissipation83W
Operating Frequency Min1MHz
Operating Frequency Max200MHz
Transistor Case StyleDK
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingFlange
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
83W
Operating Frequency Max
200MHz
No. of Pins
5Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
4A
Operating Frequency Min
1MHz
Transistor Case Style
DK
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Flange
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 4
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Great Britain
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Great Britain
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001