Spausdinti puslapį
D2019UK
RF FET Transistor, 65 V, 1 A, 17.5 W, 50 MHz, 2 GHz, SOIC
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasTT ELECTRONICS / SEMELAB
Gamintojo detalės nr.D2019UK
Užsakymo kodas1856794
Techninės specifikacijos
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasTT ELECTRONICS / SEMELAB
Gamintojo detalės nr.D2019UK
Užsakymo kodas1856794
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id1A
Power Dissipation17.5W
Operating Frequency Min50MHz
Operating Frequency Max2GHz
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max200°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
17.5W
Operating Frequency Max
2GHz
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
1A
Operating Frequency Min
50MHz
Transistor Case Style
SOIC
Operating Temperature Max
200°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 4
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Great Britain
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Great Britain
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001