Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Galima užsakyti
Pranešti man, kai bus sandėlyje
Kiekis | |
---|---|
1+ | 2,240 € |
10+ | 1,330 € |
100+ | 1,320 € |
500+ | 1,270 € |
1000+ | 1,210 € |
5000+ | 1,200 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
2,24 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.IRF840APBF
Užsakymo kodas8648557
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The IRF840APBF is a N-channel Power MOSFET with low gate charge and improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness.
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
- Effective Coss specified
- ±30V Gate-source voltage
Pritaikymas
Power Management, Industrial
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos IRF840APBF
Rasta produktų: 4
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Israel
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Israel
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002
Produkto kilmės atsekamumas