Spausdinti puslapį
SI1922EDH-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.165 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
17 175 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 0,562 € |
| 10+ | 0,361 € |
| 100+ | 0,243 € |
| 500+ | 0,189 € |
| 1000+ | 0,163 € |
| 5000+ | 0,126 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
2,81 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SI1922EDH-T1-GE3
Užsakymo kodas2056714
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel1.3A
Continuous Drain Current Id P Channel1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.165ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.165ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktų apžvalga
The SI1922EDH-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET intended for small to medium load applications where a miniaturized package is required. It is compatible with load switch for portable applications.
- Halogen-free
- ESD protected device
Pritaikymas
Industrial, Portable Devices, Power Management
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.165ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.165ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Techniniai duomenys (3)
Alternatyvos SI1922EDH-T1-GE3
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000073
Produkto kilmės atsekamumas