Spausdinti puslapį
SI2319CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
381 131 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 0,685 € |
| 10+ | 0,470 € |
| 100+ | 0,320 € |
| 500+ | 0,243 € |
| 1000+ | 0,198 € |
| 5000+ | 0,164 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
0,68 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SI2319CDS-T1-GE3
Užsakymo kodas1858942
Techninės specifikacijos
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id4.4A
Drain Source On State Resistance0.064ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktų apžvalga
The SI2319CDS-T1-GE3 is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
- ±20V Gate-source voltage
Pritaikymas
Industrial
Techniniai duomenys
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.064ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos SI2319CDS-T1-GE3
Rasta produktų: 4
Susiję produktai
Rasta produktų: 4
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000181