Spausdinti puslapį
SI4162DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 19.3 A, 0.0079 ohm, SOIC, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
73 840 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 0,779 € |
| 10+ | 0,634 € |
| 100+ | 0,461 € |
| 500+ | 0,346 € |
| 1000+ | 0,314 € |
| 5000+ | 0,250 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
0,78 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SI4162DY-T1-GE3
Užsakymo kodas1779240
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id19.3A
Drain Source On State Resistance0.0079ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Produktų apžvalga
The SI4162DY-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC conversion applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Pritaikymas
Industrial, Power Management
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19.3A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0079ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (3)
Alternatyvos SI4162DY-T1-GE3
Rasta produktų: 7
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000134
Produkto kilmės atsekamumas