Spausdinti puslapį
SI4204DY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 0.0038 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
9 674 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,570 € |
| 10+ | 1,210 € |
| 100+ | 0,971 € |
| 500+ | 0,837 € |
| 1000+ | 0,778 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
1,57 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SI4204DY-T1-GE3
Užsakymo kodas2335306
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel19.8A
Continuous Drain Current Id P Channel19.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0038ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0038ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.25W
Power Dissipation P Channel3.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktų apžvalga
The SI4204DY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter, fixed telecom and notebook PC applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
Pritaikymas
Industrial, Power Management
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
19.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0038ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.25W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
19.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0038ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001
Produkto kilmės atsekamumas