Spausdinti puslapį
SI6913DQ-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
2 279 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,770 € |
| 10+ | 1,190 € |
| 100+ | 1,130 € |
| 500+ | 1,060 € |
| 1000+ | 0,996 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
1,77 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SI6913DQ-T1-GE3
Užsakymo kodas2454810
Techninės specifikacijos
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel12V
Drain Source Voltage Vds P Channel12V
Continuous Drain Current Id N Channel4.9A
Continuous Drain Current Id P Channel4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.016ohm
Transistor Case StyleTSSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel830mW
Power Dissipation P Channel830mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
12V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.016ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
830mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
12V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Transistor Case Style
TSSOP
Power Dissipation N Channel
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Taiwan
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Taiwan
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00033
Produkto kilmės atsekamumas