Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
26 728 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Kiekis | |
---|---|
1+ | 1,770 € |
10+ | 1,250 € |
100+ | 0,861 € |
500+ | 0,630 € |
1000+ | 0,573 € |
5000+ | 0,523 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
1,77 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SI7139DP-T1-GE3
Užsakymo kodas2335355
Techninės specifikacijos
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.0074ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation48W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The SI7139DP-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for adaptor switch, battery switch and load switch applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Pritaikymas
Industrial, Power Management
Techniniai duomenys
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0074ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos SI7139DP-T1-GE3
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002217
Produkto kilmės atsekamumas