Spausdinti puslapį
SI7252DP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
26 399 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 2,570 € |
| 10+ | 1,760 € |
| 100+ | 1,240 € |
| 500+ | 0,950 € |
| 1000+ | 0,875 € |
| 5000+ | 0,791 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
2,57 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SI7252DP-T1-GE3
Užsakymo kodas2364060
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel36.7A
Continuous Drain Current Id P Channel36.7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.014ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.014ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel46W
Power Dissipation P Channel46W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktų apžvalga
Dual N-channel 100V (D-S) MOSFET for use in primary side switching, synchronous rectification and DC/AC inverters.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
36.7A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.014ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
46W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
36.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.014ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
46W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos SI7252DP-T1-GE3
Rasta produktų: 1
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0001
Produkto kilmės atsekamumas