Spausdinti puslapį
SI7288DP-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SI7288DP-T1-GE3
Užsakymo kodas2646392
Produktų asortimentasTrenchFET Series
Techninės specifikacijos
4 790 Sandėlyje
3 000 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 1,520 € |
| 50+ | 1,150 € |
| 100+ | 0,904 € |
| 500+ | 0,765 € |
| 1500+ | 0,624 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
7,60 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SI7288DP-T1-GE3
Užsakymo kodas2646392
Produktų asortimentasTrenchFET Series
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0156ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0156ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel15.6W
Power Dissipation P Channel15.6W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0156ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
15.6W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0156ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
15.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000742
Produkto kilmės atsekamumas