Spausdinti puslapį
SI7489DP-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 28 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
27 574 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 2,640 € |
| 10+ | 1,960 € |
| 100+ | 1,460 € |
| 500+ | 1,250 € |
| 1000+ | 1,150 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
2,64 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SI7489DP-T1-GE3
Užsakymo kodas2101451
Techninės specifikacijos
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produktų apžvalga
The SI7489DP-T1-GE3 is a -100V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Pritaikymas
Power Management
Techniniai duomenys
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos SI7489DP-T1-GE3
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Y-Ex
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000238