Spausdinti puslapį
SIA931DJ-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
261 570 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 0,514 € |
| 10+ | 0,391 € |
| 100+ | 0,299 € |
| 500+ | 0,212 € |
| 1000+ | 0,174 € |
| 5000+ | 0,157 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
2,57 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SIA931DJ-T1-GE3
Užsakymo kodas2400374
Techninės specifikacijos
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.052ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.052ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The SIA931DJ-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for battery and load switch, DC-to-DC converter applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® gen III power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK® package
- Small footprint
- Low ON-resistance
- 100% Rg tested
Pritaikymas
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Techniniai duomenys
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.052ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.052ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002