Spausdinti puslapį
SIAA02DJ-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 52 A, 4700 µohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SIAA02DJ-T1-GE3
Užsakymo kodas3263507RL
Produktų asortimentasTrenchFET Gen IV
Techninės specifikacijos
13 Sandėlyje
6 000 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 100+ | 0,333 € |
| 500+ | 0,255 € |
| 1000+ | 0,231 € |
| 5000+ | 0,197 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 100
Keli: 1
38,30 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SIAA02DJ-T1-GE3
Užsakymo kodas3263507RL
Produktų asortimentasTrenchFET Gen IV
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id52A
On Resistance Rds(on)0.0035ohm
Drain Source On State Resistance4700µohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation Pd19W
Power Dissipation19W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0035ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
19W
No. of Pins
7Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
52A
Drain Source On State Resistance
4700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000054
Produkto kilmės atsekamumas