Spausdinti puslapį
1 079 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 8,780 € |
| 5+ | 8,220 € |
| 10+ | 7,650 € |
| 50+ | 5,560 € |
| 100+ | 4,710 € |
| 250+ | 4,620 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
8,78 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SIHG47N60E-E3
Užsakymo kodas2079780
Produktų asortimentasE
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source On State Resistance0.053ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation357W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The SIHG47N60E-E3 is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Low input capacitance (CISS)
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge
- Avalanche energy rated
Pritaikymas
Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Alternative Energy, Motor Drive & Control
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
47A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
357W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.053ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos SIHG47N60E-E3
Rasta produktų: 5
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.006