Spausdinti puslapį
SIR876BDP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 51.4 A, 0.0108 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SIR876BDP-T1-RE3
Užsakymo kodas3765823
Produktų asortimentasTrenchFET Gen IV
Techninės specifikacijos
27 552 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,490 € |
| 10+ | 1,020 € |
| 100+ | 0,726 € |
| 500+ | 0,567 € |
| 1000+ | 0,508 € |
| 5000+ | 0,449 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
1,49 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SIR876BDP-T1-RE3
Užsakymo kodas3765823
Produktų asortimentasTrenchFET Gen IV
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id51.4A
Drain Source On State Resistance0.0108ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation71.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
N-channel 100V (D-S) MOSFET is typically used in applications such as synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converters, power supplies and motor drive control.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
- Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
- 100% Rg and UIS tested
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
51.4A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0108ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000001
Produkto kilmės atsekamumas