Spausdinti puslapį
SIS888DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SIS888DN-T1-GE3
Užsakymo kodas3929251RL
Produktų asortimentasThunderFET Series
Techninės specifikacijos
14 684 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 100+ | 0,885 € |
| 500+ | 0,682 € |
| 1000+ | 0,625 € |
| 5000+ | 0,555 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 100
Keli: 1
93,50 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SIS888DN-T1-GE3
Užsakymo kodas3929251RL
Produktų asortimentasThunderFET Series
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id20.2A
Drain Source On State Resistance0.048ohm
On Resistance Rds(on)0.048ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation52W
Power Dissipation Pd52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.048ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET Series
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.2A
On Resistance Rds(on)
0.048ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Power Dissipation Pd
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos SIS888DN-T1-GE3
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001
Produkto kilmės atsekamumas