Spausdinti puslapį
SISA12BDN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SISA12BDN-T1-GE3
Užsakymo kodas3927785RL
Produktų asortimentasTrenchFET Gen IV Series
Techninės specifikacijos
5 640 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 100+ | 0,478 € |
| 500+ | 0,352 € |
| 1000+ | 0,323 € |
| 5000+ | 0,285 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 100
Keli: 1
52,80 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SISA12BDN-T1-GE3
Užsakymo kodas3927785RL
Produktų asortimentasTrenchFET Gen IV Series
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source On State Resistance0.0027ohm
On Resistance Rds(on)0.0027ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation52W
Power Dissipation Pd52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0027ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
87A
On Resistance Rds(on)
0.0027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation Pd
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos SISA12BDN-T1-GE3
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000001
Produkto kilmės atsekamumas