Spausdinti puslapį
SISS10ADN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SISS10ADN-T1-GE3
Užsakymo kodas4320280
Produktų asortimentasTrenchFET Gen IV Series
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 54 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
| Kiekis | |
|---|---|
| 3000+ | 0,366 € |
| 9000+ | 0,347 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Full Reel)
Minimalus: 3000
Keli: 3000
1 098,00 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SISS10ADN-T1-GE3
Užsakymo kodas4320280
Produktų asortimentasTrenchFET Gen IV Series
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id109A
Drain Source On State Resistance0.0022ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation56.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
109A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
To Be Advised
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos SISS10ADN-T1-GE3
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:To Be Advised
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001
Produkto kilmės atsekamumas