Spausdinti puslapį
SIZ998DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SIZ998DT-T1-GE3
Užsakymo kodas2802799RL
Produktų asortimentasTrenchFET Series
Techninės specifikacijos
11 484 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 100+ | 0,860 € |
| 500+ | 0,628 € |
| 1000+ | 0,571 € |
| 5000+ | 0,511 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 100
Keli: 1
91,00 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SIZ998DT-T1-GE3
Užsakymo kodas2802799RL
Produktų asortimentasTrenchFET Series
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0022ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0022ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel32.9W
Power Dissipation P Channel32.9W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0022ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
32.9W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0022ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
32.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos SIZ998DT-T1-GE3
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hong Kong
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hong Kong
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.006
Produkto kilmės atsekamumas