Spausdinti puslapį
SUD50P04-08-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 50 A, 8100 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
37 671 Sandėlyje
20 000 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,670 € |
| 10+ | 1,260 € |
| 100+ | 0,878 € |
| 500+ | 0,698 € |
| 1000+ | 0,646 € |
| 5000+ | 0,538 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
1,67 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.SUD50P04-08-GE3
Užsakymo kodas1794811
Techninės specifikacijos
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance8100µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation73.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The SUD50P04-08-GE3 from Vishay is a surface mount, 40V P channel TrenchFET power MOSFET in TO-252 package. This device is used as power switch, DC to DC converters and load switch in high current applications.
- Drain to source voltage (Vds) of -40V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of -50A
- Power dissipation (Pd) of 73.5W
- Low on state resistance of 9.7mohm at Vgs -4.5V
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Pritaikymas
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Techniniai duomenys
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
73.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
8100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos SUD50P04-08-GE3
Rasta produktų: 8
Susiję produktai
Rasta produktų: 6
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000687